昨日，三星电子生产的全球首批3纳米芯片产品出厂。这是自上月末开始批量生产以来，三星电子首次向客户交货。

据报道，当天，三星电子在韩国京畿道华城厂区极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极（GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。

三星电子计划将GAA工艺的3纳米芯片应用于高性能计算（HPC），并与主要客户公司合作，扩大到移动系统芯片（SoC）等多种产品群。另外，继华城厂区之后，三星电子平泽厂区也将扩大GAA工艺3纳米芯片产品的生产。

三星电子的3纳米制程工艺是在6月30日开始量产的，这一制程工艺在业内率先采用全环绕栅极晶体管架构，量产和发货时间都早于竞争对手台积电。三星电子3纳米工艺的首批芯片，是为国内的一家无晶圆厂商代工的，不过在最新的报道中，三星电子并未提及具体的厂商名称。　综合