近日，美光宣布已量产全球首款232层储存型闪存（NAND　Flash）。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代闪存相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。

美光232层闪存引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4GB/s，比176层的闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。该产品还是全球首款量产的六平面TLC　NAND闪存，不但比其他同类TLC　NAND 闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。

此外，美光232层闪存是首款支持NV-LPDDR4的产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上能耗。

美光表示，232层NAND的突破性功能将帮助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。

除了美光，三星和铠侠也在研发200层以上的闪存。　综合